當(dāng)前外延主要以4英寸及6英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當(dāng)前6英寸碳化硅襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從4英寸向6英寸過渡。在未來幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會(huì)逐年遞增。由于4英寸碳化硅襯底及外延的技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問題，其未來降價(jià)空間有限。此外，雖然當(dāng)前國(guó)際先進(jìn)廠商已經(jīng)研發(fā)出8英寸碳化硅襯底，但其進(jìn)入碳化硅功率器件制造市場(chǎng)將是一個(gè)漫長(zhǎng)的過程，隨著8英寸碳化硅外延技術(shù)的逐漸成熟，未來可能會(huì)出現(xiàn)8英寸碳化硅功率器件生產(chǎn)線。

碳化硅外延主要解決外延晶片均勻性控制和外延缺陷控制兩大問題。

（1）外延晶片均勻性控制方面，由于外延片尺寸的增大往往會(huì)伴隨外延晶片均勻性的下降，因此大尺寸外延晶片均勻性的控制是提高器件良率和可靠性、進(jìn)而降低成本的關(guān)鍵。

（2）外延缺陷控制問題。基晶面位錯(cuò)（BPD）是影響碳化硅雙極型功率器件穩(wěn)定性的一個(gè)重要結(jié)晶缺陷，不斷降低BPD密度是外延生長(zhǎng)技術(shù)發(fā)展的主要方向。由于物理氣象傳輸法（PVT）制備碳化硅襯底的BPD密度較高，外延層中對(duì)器件有害的BPD多來自于襯底中的BPD向外延層的貫穿。因此，提高襯底結(jié)晶質(zhì)量可有效降低外延層BPD位錯(cuò)密度。

隨著碳化硅器件的不斷應(yīng)用，器件尺寸及通流能力不斷增加，對(duì)結(jié)晶缺陷密度的要求也不斷增加，在未來技術(shù)的進(jìn)步下，碳化硅外延片結(jié)晶缺陷密度會(huì)隨之不斷下降。