碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術發(fā)展也至關重要。雖然國內碳化硅的技術水平與國外有所差距，但國內企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領域均已實現(xiàn)部分國產替代，8英寸晶圓也在研制過程中，國產替代進程講持續(xù)突破。

碳化硅市場產業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個部分，分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長過程繁瑣，晶圓切割困難等特點，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質量襯底的應用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供應商，CR3市場占有率達到80%以上，國內廠商為代表的襯底廠商的產品良率、品質和生產效率還有一定差距，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求，當前碳化硅襯底已應用于射頻器件及功率器件，隨著下游需求爆發(fā)，2022-2026年SiC器件的市場規(guī)模將從43億美元提升到89億美元，年復合增長率為20%。