推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- AMB陶瓷基板市場潛力巨大[ 09-26 15:55 ]
- 據(jù)了解，目前在AMB領(lǐng)域，比較領(lǐng)先的企業(yè)主要來自歐、日、韓，如德國的羅杰斯（RogersCorporation）、賀利氏科技集團，日本的同和控股（DOWA）、礙子株式會社（NGK）、電化株式會社（Denka）、京瓷株式會社（KYOCERACorporation）、東芝高新材料公司，韓國的KCC集團、AMOGREENTECH等。 受益于SiC新機遇，部分國際企業(yè)已在計劃對AMB基板進行擴產(chǎn)，如東芝高新材料公司已于去年開設(shè)大分工廠，開始生產(chǎn)氮化硅陶瓷基板；今年2月，羅杰斯官宣布擴大德國埃申巴赫工廠AMB基板產(chǎn)能。
- AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯[ 09-24 17:52 ]
- 據(jù)了解，AMB基板銅層結(jié)合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對SiC上車并改善新能源汽車應(yīng)用有明顯的提升效果。 不過，AMB工藝也還存在一些短板，其技術(shù)實現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進一步完善，這使得該技術(shù)目前的實現(xiàn)成本還比較高，“AMB被認為是Si
- 國內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離[ 09-22 16:16 ]
- 碳化硅生產(chǎn)過程主要包括碳化硅單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應(yīng)的是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件三大環(huán)節(jié)。 我們把SiC器件發(fā)展分為三個發(fā)展階段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽車開始試水搭載SiC功率器件；2022-2023年為拐點期，SiC在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)達到了批量生產(chǎn)的臨界區(qū)域，并且充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等應(yīng)用逐步采用SIC器件；2024-2026年為爆發(fā)期，SIC加速滲透，在新能源汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等得到廣泛應(yīng)用。 當前，碳化硅MOS
- 國內(nèi)碳化硅外延的難點[ 09-21 15:14 ]
- 當前外延主要以4英寸及6英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當前6英寸碳化硅襯底已經(jīng)實現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從4英寸向6英寸過渡。在未來幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會逐年遞增。由于4英寸碳化硅襯底及外延的技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問題，其未來降價空間有限。此外，雖然當前國際先進廠商已經(jīng)研發(fā)出8英寸碳化硅襯底，但其進入碳化硅功率器件制造市場將是一個漫長的過程，隨著8英寸碳化硅外延技術(shù)的逐漸成熟，未來可能會出現(xiàn)8英寸碳化硅功率
- 國內(nèi)碳化硅襯底的難點[ 09-20 16:11 ]
- 當前，國內(nèi)廠商碳化硅襯底生產(chǎn)的技術(shù)指標與國際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內(nèi)公司主要量產(chǎn)襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術(shù)研發(fā)儲備上，以行業(yè)領(lǐng)先者WolfSpeed公司的研發(fā)進程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產(chǎn)品。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，有利于進一步降低芯片的成本。由于現(xiàn)有的6英寸的硅晶圓產(chǎn)線可以升級改造用于生產(chǎn)Si
