國內碳化硅功率器件離正式量產還有一段距離[ 09-22 16:16 ]

碳化硅生產過程主要包括碳化硅單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是碳化硅產業(yè)鏈襯底、外延、器件三大環(huán)節(jié)。 我們把SiC器件發(fā)展分為三個發(fā)展階段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽車開始試水搭載SiC功率器件；2022-2023年為拐點期，SiC在新能源汽車領域的應用已經達到了批量生產的臨界區(qū)域，并且充電基礎設施、5G基站、工業(yè)和能源等應用逐步采用SIC器件；2024-2026年為爆發(fā)期，SIC加速滲透，在新能源汽車、充電基礎設施、5G基站、工業(yè)和能源等得到廣泛應用。 當前，碳化硅MOS

國內碳化硅外延的難點[ 09-21 15:14 ]

當前外延主要以4英寸及6英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當前6英寸碳化硅襯底已經實現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從4英寸向6英寸過渡。在未來幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會逐年遞增。由于4英寸碳化硅襯底及外延的技術已經日趨成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問題，其未來降價空間有限。此外，雖然當前國際先進廠商已經研發(fā)出8英寸碳化硅襯底，但其進入碳化硅功率器件制造市場將是一個漫長的過程，隨著8英寸碳化硅外延技術的逐漸成熟，未來可能會出現(xiàn)8英寸碳化硅功率

國內碳化硅襯底的難點[ 09-20 16:11 ]

當前，國內廠商碳化硅襯底生產的技術指標與國際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內公司主要量產襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術研發(fā)儲備上，以行業(yè)領先者WolfSpeed公司的研發(fā)進程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產品。為提高生產效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，有利于進一步降低芯片的成本。由于現(xiàn)有的6英寸的硅晶圓產線可以升級改造用于生產Si

碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢[ 09-19 17:07 ]

碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料，基于其優(yōu)良的特性，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求，當前碳化硅襯底已應用于射頻器件及功率器件。碳化硅器件優(yōu)點如下： （1）耐高壓。擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。所以在實際應用過程中，與硅基相比可以設計成更小的體積，約為硅基器件的1/10。 （2）耐高溫。半導體器件在較高的溫度下，會產生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。

三種生長SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點[ 09-08 17:45 ]

生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 目前合成單晶生長用高純SiC的方法并不多，以CVD法和改進的自蔓延合成法為主，其中氣相法合成的粉體多為納米級，生產效率低，無法滿足工業(yè)需求；同時，固相法制備過程的眾多雜質中，N元素的含量一直