“雙碳”、碳化硅、新能源有何神秘關(guān)系?[ 12-16 08:41 ]

  碳達(dá)峰是指我國(guó)承諾2030年前，二氧化碳的排放不再增長(zhǎng)，達(dá)到峰值之后逐步降低。     碳中和是指企業(yè)、團(tuán)體或個(gè)人測(cè)算在一定時(shí)間內(nèi)直接或間接產(chǎn)生的溫室氣體排放總量，然后通過(guò)植物造樹(shù)造林、節(jié)能減排等形式，抵消自身產(chǎn)生的二氧化碳排放量，實(shí)現(xiàn)二氧化碳“零排放”。     全球二氧化碳排放量逐年增加，2019年全球排放量達(dá)341.7億噸，年均復(fù)合增速2.1%。我國(guó)碳排放總量占全球碳排放總量的1/3，分別是美國(guó)和歐盟的2倍和3倍。我國(guó)人均碳

【磨協(xié)】關(guān)于召開(kāi)2021年秋季全國(guó)磨料磨具行業(yè)信息交流會(huì)暨第三屆中國(guó)磨料磨具行業(yè)國(guó)際技術(shù)論壇的通知[ 11-30 12:18 ]

各會(huì)員單位及行業(yè)企業(yè)：   因故延期的“2021年秋季全國(guó)磨料磨具行業(yè)信息交流會(huì)暨第三屆中國(guó)磨料磨具行業(yè)國(guó)際技術(shù)論壇”，確定于2021年12月8—9日在河南省鄭州市舉辦。本次交流會(huì)秉承交流探討、開(kāi)闊思路、加強(qiáng)合作、凝聚共識(shí)、推動(dòng)行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的主旨，以國(guó)際論壇的形式邀請(qǐng)到多位國(guó)內(nèi)外知名磨企負(fù)責(zé)人及科研院所教授，聚焦行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)、創(chuàng)新方向、制備工藝、綠色減排等熱點(diǎn)問(wèn)題作分析報(bào)告。   會(huì)議具體安排如下：   一、會(huì)議時(shí)間：2021年12月8

【涂協(xié)】關(guān)于召開(kāi)涂附磨具分會(huì)第十一屆會(huì)員代表大會(huì)暨“2021中國(guó)涂附磨具國(guó)際論壇”的通知[ 11-30 11:37 ]

  召開(kāi)涂附磨具分會(huì)第十一屆會(huì)員代表大會(huì)暨“2021中國(guó)涂附磨具國(guó)際論壇”的通知     各會(huì)員單位及行業(yè)企業(yè)：       因受疫情影響延期的涂附磨具分會(huì)第十一屆會(huì)員代表大會(huì)暨“2021中國(guó)涂附磨具國(guó)際論壇”，定于12月21日－23日在鄭州舉辦?，F(xiàn)將有關(guān)事宜通知如下：01   會(huì)議內(nèi)容     （一）涂附磨具分會(huì)理事會(huì)換屆選舉 &n

第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展新方向[ 11-29 15:02 ]

眾所周知，采用第三代半導(dǎo)體材料的目的是為了提高產(chǎn)品效率和功率密度。大功率產(chǎn)品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發(fā)展，目前在車載應(yīng)用方面已經(jīng)開(kāi)始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動(dòng)車的續(xù)航能力。而中小功率產(chǎn)品是Si MOSFET向GaN HEMT發(fā)展，主要應(yīng)用是數(shù)據(jù)中心電源及充電適配器。 數(shù)據(jù)中心消耗的能源大概占總發(fā)電量的10%左右，采用第三代半導(dǎo)體材料GaN設(shè)計(jì)的電源能夠使效率提高3到5個(gè)點(diǎn)，從而節(jié)省全國(guó)千分之三到千分之五的電力消耗。這對(duì)于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可

GaN和SiC材料的技術(shù)難點(diǎn)和特點(diǎn)[ 11-29 14:59 ]

目前，第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場(chǎng)認(rèn)可和高度關(guān)注。在功率半導(dǎo)體的范疇，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，除了LED發(fā)光和射頻，第三代半導(dǎo)體材料SiC的技術(shù)難點(diǎn)主要在于襯底缺陷的控制。當(dāng)前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)想要突破還需要相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間。 同時(shí)第三代半導(dǎo)體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動(dòng)大導(dǎo)致良率偏低以及主要材料供應(yīng)被壟斷，甚至推導(dǎo)到市場(chǎng)價(jià)格一直居高不下，目前只限定在部分應(yīng)用市場(chǎng)。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點(diǎn)而言，第三代半導(dǎo)體材料SiC的應(yīng)用已經(jīng)