碳化硅襯底可以分為半絕緣碳化硅襯底和低阻碳化硅襯底。近年來，隨著5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭的慢慢平穩(wěn)，低阻碳化硅襯底逐漸要扛起碳化硅產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的大旗。據(jù)YOLE預測，2021年全球碳化硅功率器件的市場規(guī)模約為10.9億美金，而到2027年全球碳化硅功率器件的市場規(guī)模將暴增至62.97億美金，年均復合增長率約為34%。

車規(guī)級碳化硅功率器件的研發(fā)可追溯到2008年。而豐田汽車早在2014年就推出了應用碳化硅功率器件的普銳斯和凱美瑞混動車，然而真正實現(xiàn)大規(guī)模應用碳化硅MOSFET器件的則是車企新貴——特斯拉。而如今，無論是老牌車企大眾、寶馬、奧迪，還是造車新勢力蔚來、理想、小鵬，都對碳化硅功率器件“磨刀赫赫”。

而YOLE也預測推動碳化硅產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的最大推手將會是電動汽車產(chǎn)業(yè)，到2027年75%以上的碳化硅功率器件將應用于電動汽車產(chǎn)業(yè)。