據(jù)中國粉體網訊近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網有限公司電力科學研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團體標準提案，經CASA標準化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據(jù)《CASA管理和標準制修訂細則》，上述團體標準提案立項通過，分配編號為：CASA024。

《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiCMOSFET）開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法，評價器件在承受規(guī)定動態(tài)柵極應力的條件下是否符合規(guī)定的閾值電壓變化量。該方法是使器件重復承受柵極正偏壓和柵極負偏壓，以加速器件柵氧界面的老化并加速器件閾值電壓的變化，從而衡量碳化硅MOSFET的閾值穩(wěn)定性。