眾所周知，碳化硅是目前半導體界公認的一種具有較高開發(fā)潛力的新式半導體材料。金蒙新材料公司所生產(chǎn)的碳化硅微粉屬于典型寬禁帶半導體，與其他材料相比具有很多優(yōu)秀的物理特性。

大家通常認識一般就是碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶), 達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3 倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為 49w/cm.k。

碳化硅與硅半導體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應器件和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。