9月9日，碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed宣布將在北卡羅來(lái)納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項(xiàng)目，一期投資13億美元，預(yù)計(jì)2024年投產(chǎn)；二期預(yù)計(jì)投資48億美元，到2030年投產(chǎn)，投資目標(biāo)是使Wolfspeed達(dá)到目前產(chǎn)能的十倍。

Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運(yùn)行，電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動(dòng)汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D(zhuǎn)動(dòng)的電機(jī)。Lowe說(shuō)，“高功率應(yīng)用意味著，當(dāng)你使用它時(shí)，你會(huì)浪費(fèi)更少的能源，這意味著電動(dòng)汽車使用碳化硅后，行駛里程可增加5%到15%”。另外，基于碳化硅的芯片還可用于加速電動(dòng)汽車充電，Lowe表示，節(jié)能帶來(lái)了卓越的快速充電能力，因?yàn)樗鼈兛梢詡鬏敻嗟碾娏Α?br />
Wolfspeed的自動(dòng)化工廠采用自己開(kāi)發(fā)的生長(zhǎng)爐，碳化硅晶錠在4500華氏度的高溫下生長(zhǎng)制備，然后再被切割成晶片并將其制成芯片。而200毫米碳化硅晶圓比150毫米晶圓大1.7倍，每個(gè)晶圓可以生產(chǎn)更多芯片，最終降低設(shè)備成本。這些功率器件和射頻器件產(chǎn)品，除了電動(dòng)汽車和快速充電，還適用于5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)防等各種應(yīng)用。