金蒙新材料公司獲悉：我國半導(dǎo)體新技術(shù)再次取得突破性進(jìn)展——由南京大學(xué)與中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所合作研制而成的第三代半導(dǎo)體碳化硅紫外雪崩單光子探測器模現(xiàn)已問世。

　　其高靈敏度碳化硅紫外雪崩單光子探測器模塊的成功研制，填補(bǔ)了我國國內(nèi)在高性能固態(tài)紫外探測領(lǐng)域的空白，為我國進(jìn)一步在高端紫外探測市場的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

　　通過實驗證明，尤其是對探測芯片設(shè)計與制備、封裝測試到讀出電路的一體化研究，碳化硅單光子紫外探測模塊現(xiàn)已取得了關(guān)鍵技術(shù)上的顯著突破。其主要性能指標(biāo)均已達(dá)到世界領(lǐng)先水平。例如：其暗電流低于0.01pA，雪崩增益高于106，室溫下的暗計數(shù)率低于1.8Hz/µm2，單光子探測效率高于10%;在150ºC高溫下，探測的暗計數(shù)率低于7Hz/µm2，單光子探測效率無明顯變化，能夠很好工作。

　　因此，其未來在導(dǎo)彈預(yù)警與跟蹤、紫外通信、生物醫(yī)療、石油頁巖氣開發(fā)、高速鐵路以及高壓輸電安全領(lǐng)域?qū)⒕哂蟹浅＞薮蟮膽?yīng)用潛力。