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新加坡研究專家在硅襯底研究方面取得重大成果

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:劉坤尚作者:彭國(guó)臣人氣:-發(fā)表時(shí)間:2015-01-21 08:37:00【

  金蒙新材從相關(guān)碳化硅行業(yè)官網(wǎng)獲悉:新加坡最大研究所A*STAR的科學(xué)家在硅襯底研究方面取得重大成果。

  科學(xué)家通過研究發(fā)現(xiàn)在硅表面掃描飛秒電子激光束,在30毫米×30毫米的硅表面的廣泛區(qū)域打造出均勻的納米級(jí)波紋結(jié)構(gòu)。發(fā)現(xiàn)這種波紋結(jié)構(gòu)形成后,硅表面的平均反射率從39.7%降到了12.5%,這也意味著,由于波紋結(jié)構(gòu)的強(qiáng)烈散射,硅表面的光吸收率提高了41%。

  金蒙新材碳化硅微粉質(zhì)檢經(jīng)理表示,由于這種結(jié)構(gòu)深度的增加能夠有效降低波紋結(jié)構(gòu)的光反射程度,提高波紋結(jié)構(gòu)的光捕獲能力,從而提高光伏設(shè)備的效率。

  同時(shí),金蒙新材電池負(fù)極材料碳化硅生產(chǎn)經(jīng)理也對(duì)此項(xiàng)技術(shù)滿懷期待,由于波紋狀表面比平滑表面的反射能力要小得多,這一技術(shù)未來如果應(yīng)用在太陽(yáng)能電池上,可以使太陽(yáng)能電池獲取更多的光,從而提高太陽(yáng)能電池效率。無疑,這一技術(shù)未來在太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管等領(lǐng)域的應(yīng)用將具有非常重要的意義。

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