金蒙新材料小編從相關(guān)渠道了解到：SiC電力電子器件在牽引領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀及SiC電力電子器件在牽引領(lǐng)域應(yīng)用面對的挑戰(zhàn)。目前，寬禁帶半導(dǎo)體SiC是最有發(fā)展前途的電力電子材料，滿足牽引變流器輕量化、小型化、高效化的發(fā)展趨勢。
  電牽引技術(shù)的不斷發(fā)展要求電力電子器件具有更高的功率密度、更高的工作溫度、更小的功率損耗、更快的開關(guān)速度。目前，以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商品化，在牽引領(lǐng)域表現(xiàn)出巨大的潛力。SiC材料較大的禁帶寬度(3.26eV)使其相比于Si材料(1.12eV)具有很大的優(yōu)勢：本征載流子濃度低20個數(shù)量級，臨界擊穿電場高10倍，熱導(dǎo)率高3倍，電子飽和漂移速率高1倍等。這些特性使得SiC電力電子器件在高溫、高頻及阻斷電壓等方面突破原有Si材料的極限。
目前，SiC電力電子器件已經(jīng)在600V-1700V中低壓領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，Cree、Rohm、Infineon等公司可批量供應(yīng)最大電流50A的SiC SBD及MOSFET產(chǎn)品，其應(yīng)用已顯著提高系統(tǒng)工作頻率及整機(jī)效率。機(jī)車牽引、高壓直流輸變電等領(lǐng)域目前正小批量試用高壓SiC器件，系統(tǒng)性能提升明顯。SiC電力電子器件在牽引領(lǐng)域應(yīng)用正由樣機(jī)試驗(yàn)試制階段向批量化生產(chǎn)和工程化應(yīng)用靠近。