低翹曲度碳化硅晶體切割技術(shù)難點(diǎn)[ 03-16 15:44 ]

碳化硅的莫氏硬度為9.5，硬度與金剛石接近，只能用金剛石材料進(jìn)行切割，切割難度大，保證切割過(guò)程穩(wěn)定獲得低翹曲度的晶片是技術(shù)難點(diǎn)之一。 為了達(dá)到下游外延開(kāi)盒即用的質(zhì)量水平，需要對(duì)碳化硅襯底表面進(jìn)行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并達(dá)到嚴(yán)苛的金屬、顆粒控制要求。 化學(xué)機(jī)械拋光屬于化學(xué)作用和機(jī)械作用相結(jié)合的技術(shù)，碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層相對(duì)容易去除的軟質(zhì)層，然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機(jī)械作用下去除軟質(zhì)層，在化學(xué)作用和機(jī)械作用的交替進(jìn)行的過(guò)程中完成表面拋光，過(guò)程較為

PVT碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)難點(diǎn)[ 03-15 15:42 ]

目前碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法主要包括以下三種：液相法、高溫化學(xué)氣相沉積法、物理氣相傳輸法（PVT）。其中PVT法是目前SiC單晶生長(zhǎng)研究最多、最成熟的技術(shù)，其技術(shù)難點(diǎn)在于： （1）碳化硅單晶在2300°C以上高溫的密閉石墨腔室內(nèi)完成“固-氣-固”的轉(zhuǎn)化重結(jié)晶過(guò)程，生長(zhǎng)周期長(zhǎng)、控制難度大，易產(chǎn)生微管、包裹物等缺陷。 （2）碳化硅單晶包括200多種不同晶型，但生產(chǎn)一般僅需一種晶型，生長(zhǎng)過(guò)程中易產(chǎn)生晶型轉(zhuǎn)變?cè)斐啥嘈蛫A雜缺陷，制備過(guò)程中單一特定晶型難以穩(wěn)定控制，例如目前主流的4H型。

高純度碳化硅生長(zhǎng)原料合成技術(shù)[ 03-14 15:40 ]

生長(zhǎng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長(zhǎng)需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法將固態(tài)的Si源和C源作為原料，使其在1400～2000℃的高溫下持續(xù)反應(yīng)，最后得到高純SiC粉體，是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 天岳先進(jìn)使用的高純碳化硅是將高純硅粉和高純碳粉按工藝配方均勻混合，在2000℃以上的高溫條件下，

碳化硅單晶生長(zhǎng)爐制造技術(shù)[ 03-12 15:37 ]

碳化硅長(zhǎng)晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長(zhǎng)核心技術(shù)中的熱場(chǎng)和工藝的重要組成部分。針對(duì)不同尺寸、不同導(dǎo)電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長(zhǎng)晶爐需要實(shí)現(xiàn)高真空度、低真空漏率等各項(xiàng)性能指標(biāo)，為高質(zhì)量晶體生長(zhǎng)提供適合的熱場(chǎng)實(shí)現(xiàn)條件。 碳化硅單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)是碳化硅單晶生長(zhǎng)的核心，決定了單晶生長(zhǎng)中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場(chǎng)等關(guān)鍵反應(yīng)條件。熱場(chǎng)的配置核心是設(shè)置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，以保證熱場(chǎng)內(nèi)生長(zhǎng)的晶體具有較小的原生內(nèi)應(yīng)力，同時(shí)具備合理可控的生長(zhǎng)速率。

碳化硅作為強(qiáng)共價(jià)鍵化合物所具有的顯著特點(diǎn)[ 03-10 15:20 ]

碳化硅是一種強(qiáng)共價(jià)鍵化合物，具有以下顯著特點(diǎn)： 1）密度低、彈性模量高； 2）硬度高，耐磨損性能好； 3）化學(xué)穩(wěn)定性好，耐腐蝕性能優(yōu)異； 4）高溫強(qiáng)度高、抗蠕變性好； 5）電阻率可控，具有半導(dǎo)體特性； 6）熱膨脹系數(shù)低、熱導(dǎo)率高。