碳化硅陶瓷冷等靜壓成型結(jié)合無(wú)壓燒結(jié)制備技術(shù)[ 01-15 15:33 ]

冷等靜壓技術(shù)是在常溫下，通過(guò)用橡膠或塑料作包套模具材料，以液體為壓力介質(zhì)，主要用以粉體材料成型，為進(jìn)一步燒結(jié)或熱等靜壓工序提供坯體。然后對(duì)成型坯體進(jìn)行機(jī)加工得到陶瓷產(chǎn)品素坯，再進(jìn)行無(wú)壓燒結(jié)得到復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷的一種技術(shù)。 采用冷等靜壓成型結(jié)合無(wú)壓燒結(jié)工藝可獲得密度均勻、熱導(dǎo)率高、力學(xué)性能優(yōu)異的復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷，該工藝適用于比剛度、耐磨損、耐化學(xué)腐蝕、高溫強(qiáng)度等性能要求高的碳化硅產(chǎn)品的制備。 美爾森布斯泰克公司采用冷等靜壓成型結(jié)合無(wú)壓燒結(jié)工藝制備了太空反射鏡、激光振鏡、反應(yīng)器等多種復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷制

復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷未來(lái)發(fā)展領(lǐng)域[ 01-14 14:31 ]

隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，碳化硅陶瓷的應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步拓寬，但特殊的使用工況也對(duì)SiC陶瓷制品的形狀復(fù)雜性提出了更高的要求。例如：在航空航天領(lǐng)域，為了提高光學(xué)系統(tǒng)的分辨率，碳化硅陶瓷反射鏡必須滿足口徑大、質(zhì)量小的要求，因此反射鏡的減重設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜；在集成電路領(lǐng)域，碳化硅陶瓷作為集成電路裝備關(guān)鍵組成部分，其結(jié)構(gòu)復(fù)雜，精度要求極高；在化工醫(yī)藥領(lǐng)域，碳化硅陶瓷可以用于制作能進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的三維結(jié)構(gòu)微反應(yīng)器元件，結(jié)構(gòu)極其復(fù)雜。 由此可見(jiàn)，復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷在現(xiàn)代科技的發(fā)展中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。SiC陶瓷常用的燒結(jié)工藝

碳化硅密度對(duì)光學(xué)鏡面加工質(zhì)量的影響[ 01-10 08:46 ]

曾有科學(xué)家研究過(guò)密度對(duì)對(duì)光學(xué)鏡面加工質(zhì)量的影響，初步研究結(jié)果所示，在相同加工工藝條件下，碳化硅陶瓷密度對(duì)光學(xué)鏡面加工質(zhì)量確實(shí)有一定影響。當(dāng)采用一定粒度的金剛石拋光液對(duì)碳化硅陶瓷試樣進(jìn)行光學(xué)鏡面加工時(shí)，低密度的碳化硅陶瓷光學(xué)鏡面加工后表面粗糙度較高，高密度的碳化硅陶瓷光學(xué)鏡面加工后表面粗糙度較低。 通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀察，碳化硅陶瓷光學(xué)鏡面加工后表面缺陷主要表現(xiàn)為氣孔或缺陷，密度較高的碳化硅陶瓷試樣光學(xué)鏡面加工后，表面氣孔或缺陷更少，表面質(zhì)量更好。另外，降低磨粒尺寸有利于表面質(zhì)量的提高。 如上所述，碳化硅陶瓷

碳化硅反射鏡——千里眼的角膜[ 01-09 08:34 ]

如果把大型光學(xué)望遠(yuǎn)鏡比作人類的“千里眼”，那么主反射鏡就是這只“千里眼”的核心部件——“角膜”。國(guó)際上常用的反射鏡基體材料有石英玻璃、微晶玻璃、碳化硅、金屬鈹，以及碳纖維/碳化硅復(fù)合材料等。與其他材料相比，碳化硅(SiC)具有更大的比剛度（E/ρ）和熱穩(wěn)定性(λ/α)，這使得在實(shí)現(xiàn)同樣的光學(xué)口徑和精度要求下，碳化硅反射鏡具有更小的重量、更優(yōu)的熱穩(wěn)定性。 有關(guān)資料表明，碳化硅質(zhì)反射鏡

碳化硅反射鏡的制作難點(diǎn)[ 01-08 08:43 ]

隨著技術(shù)發(fā)展，碳化硅反射鏡的應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷擴(kuò)大，在空間對(duì)地觀測(cè)、深空探測(cè)、天文觀測(cè)和量子通訊等方面都能看到它的身影。 但是，這些高性能空間光學(xué)元件往往會(huì)要求具有超光滑表面（表面粗糙度<1nmRMS），因此碳化硅材料在反射鏡應(yīng)用方面主要面臨以下兩方面困難： 一方面，由于SiC材料比剛度大，化學(xué)穩(wěn)定性高，很難通過(guò)機(jī)械力拋光的方法直接獲得高質(zhì)量的SiC光學(xué)鏡面； 另一方面，非常難以直接制備完全致密的SiC材料，殘留的氣孔等缺陷會(huì)影響光學(xué)加工質(zhì)量，最終影響鏡面質(zhì)量。不過(guò)令人意外的是，后者的影響其實(shí)遠(yuǎn)比前