眾所周知，碳化硅是目前半導(dǎo)體界公認(rèn)的一種具有較高開發(fā)潛力的新式半導(dǎo)體材料。金蒙新材料公司所生產(chǎn)的碳化硅微粉屬于典型寬禁帶半導(dǎo)體，與其他材料相比具有很多優(yōu)秀的物理特性。

　　大家通常認(rèn)識(shí)一般就是碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶), 達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3 倍,高達(dá)3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為 49w/cm.k。

　　碳化硅與硅半導(dǎo)體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。

　　但除此之外，其更具有以下優(yōu)點(diǎn)：

　　1、碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小。

　　2、碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng) 而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個(gè)商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。

　　3、碳化硅有高的熱導(dǎo)率，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。

　　4、碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600℃的報(bào)道，而硅器件的最大工作溫度僅為150℃。

　　5、碳化硅具有很高的抗輻照能力。

　　6、碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小，可靠性好。

　　7、碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性，反向恢復(fù)電流小，開關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。

　　8、碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)。