生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。

目前合成單晶生長用高純SiC的方法并不多，以CVD法和改進的自蔓延合成法為主，其中氣相法合成的粉體多為納米級，生產(chǎn)效率低，無法滿足工業(yè)需求；同時，固相法制備過程的眾多雜質(zhì)中，N元素的含量一直居高不下。后續(xù)應該在高純SiC粉體粒徑和晶型對晶體生長的影響方面進行深入研究，從而加強對高純SiC粉體形狀、粒度、粒徑分布等參數(shù)的有效控制，并且對如何減少高純SiC粉體中N元素的含量還需進一步的研究。