碳化硅的化學(xué)屬性
小編今天給大家介紹一下碳化硅的化學(xué)屬性,讓您知道我們山東金蒙新材料股份有限生產(chǎn)的碳化硅到底是啥。
1:抗化合性:碳化硅材料在氧氣中反應(yīng)溫度達(dá)到1300℃時(shí),在其碳化硅晶體表層已經(jīng)生成二氧化硅保護(hù)層。隨著保護(hù)層的加厚,抵制了里面碳化硅繼續(xù)被化合,這使碳化硅有較好的抗化合性。當(dāng)氣溫達(dá)到1900K(1627℃)以上時(shí),二氧化硅保護(hù)膜已經(jīng)被破壞,碳化硅化合效應(yīng)加重,從而1900K是碳化硅在氧化劑氛圍下的最高工作氣溫。
2:耐酸堿性:在耐酸、堿及化合物的效用方面,因?yàn)槎趸璞Wo(hù)膜的效用,碳化硅的抗酸能力非常非常強(qiáng),抗堿性稍差。
物理性能
密度:各樣碳化硅晶形的顆粒密度十分相近,通常情況下,應(yīng)該是3.20 g/mm³,其碳化硅磨料的堆砌密度在1.2--1.6 g/mm³之間,其高矮取決于其粒度號、粒度合成和顆粒形狀的大小。
硬度: 碳化硅的硬度為:莫氏9.5級。單晶硅的硬度為:莫氏7級。多晶硅的硬度為:莫氏7級。都是硬度相對較高的物料。努普硬度為2670—2815公斤/毫米,在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。
導(dǎo)熱率:碳化硅制品的導(dǎo)熱率非常高,熱膨脹參數(shù)小,抗熱震性非常高,是優(yōu)質(zhì)的耐火材料。
電學(xué)屬性
恒溫下工業(yè)碳化硅是一種半導(dǎo)體,屬雜質(zhì)導(dǎo)電性。高純度碳化硅隨著氣溫的升高內(nèi)阻率降低,含雜質(zhì)碳化硅按照其含雜質(zhì)不一樣,導(dǎo)電性能也不一樣。
其它屬性
親水性好。
眾所周知, SiC是共價(jià)鍵很強(qiáng)的化合物。按照Pauling對電負(fù)性的計(jì)算, SiC 中Si一C鍵的離子性僅12%左右。因此,SiC 的硬度高、彈性模量大, 具有優(yōu)良的耐磨損性能。值得指出的是, SiC氧化時(shí), 表面形成的二氧化硅層會抑制氧的進(jìn)一步擴(kuò)散, 因而, 其氧化速率并不高。在電性能方面, SiC具有半導(dǎo)體特性, 少量雜質(zhì)的引入會使其表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性:此外,SiC 還具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性。
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