隨著碳化硅產(chǎn)品應(yīng)用越來越廣泛，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導體器件，如德國的英飛凌半導體公司，美國的Cree公司、通用電子公司、摩托羅拉公司，日本的豐田、東芝、日立、富士等公司。（國內(nèi)從事碳化硅生產(chǎn)晶體研制的研究所和高校主要有中科院物理所、上海硅酸鹽研究所、山東大學、西安理工大學、中國電子科技集團第四十六所等）另外設(shè)備廠商也開始支持SiC器件的生產(chǎn)。每年的黑碳化硅、綠碳化硅及相關(guān)材料國際會議ICSCRM來自全球的專家聚集在一起探討有關(guān)碳化硅最新的技術(shù)動態(tài)。
  目前市場上也已有光電子、功率和微波等三類碳化硅加工器件提供商用，如PIN二極管、肖特基二極管、MESFET、MOSFET、晶閘管、SiC基發(fā)光二極管等。SiC器件的蓬勃發(fā)展迫切需要價廉、大直徑、高品質(zhì)的SiC晶片，以降低器件的價格，提高器件的性能。但由于SiC在正常的工程條件下無液相存在，理論計算表明在壓力超過1010Pa、溫度超過2830℃的條件下，理想化學配比的SiC熔體才可能存在，故從商業(yè)的角度考慮SiC不可能像Si材料一樣從熔體中提拉制備。目前世界上制備SiC體單晶的標準方法是籽晶升華法。其原理是采用感應(yīng)或電阻加熱的方式對準密閉的坩堝系統(tǒng)加熱，將作為生長源的固態(tài)混合物置于溫度較高的坩堝底部，籽晶固定在溫度較低的坩堝頂部，生長源在低壓高溫下升華分解產(chǎn)生氣態(tài)物質(zhì)，在由生長源與籽晶之間存在的溫度梯度而形成的壓力梯度的驅(qū)動下，這些氣態(tài)物質(zhì)自然輸運到低溫的籽晶位置，并由于超飽和度的產(chǎn)生而結(jié)晶生長。
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