曾有科學(xué)家研究過密度對對光學(xué)鏡面加工質(zhì)量的影響，初步研究結(jié)果所示，在相同加工工藝條件下，碳化硅陶瓷密度對光學(xué)鏡面加工質(zhì)量確實有一定影響。當采用一定粒度的金剛石拋光液對碳化硅陶瓷試樣進行光學(xué)鏡面加工時，低密度的碳化硅陶瓷光學(xué)鏡面加工后表面粗糙度較高，高密度的碳化硅陶瓷光學(xué)鏡面加工后表面粗糙度較低。

通過光學(xué)顯微鏡觀察，碳化硅陶瓷光學(xué)鏡面加工后表面缺陷主要表現(xiàn)為氣孔或缺陷，密度較高的碳化硅陶瓷試樣光學(xué)鏡面加工后，表面氣孔或缺陷更少，表面質(zhì)量更好。另外，降低磨粒尺寸有利于表面質(zhì)量的提高。

如上所述，碳化硅陶瓷密度對光學(xué)鏡面加工質(zhì)量有一定影響，在一定密度范圍內(nèi)(3.09～3.13g·cm³)，光學(xué)鏡面加工質(zhì)量差別不大，若進一步改善加工工藝，采用粒度更小的拋光液對碳化硅陶瓷試樣進行光學(xué)鏡面加工后，均可得到較好的表面質(zhì)量。這說明，當碳化硅陶瓷密度達到一定高度時，密度對光學(xué)鏡面加工質(zhì)量的影響可通過光學(xué)鏡面加工工藝的優(yōu)化而減小或消除，即影響碳化硅陶瓷光學(xué)鏡面加工質(zhì)量的主要因素表現(xiàn)為加工工藝參數(shù)，而密度對光學(xué)鏡面加工質(zhì)量的影響則可以忽略。

因此綜合來看，為使SiC材料具有超光滑表面以滿足光學(xué)應(yīng)用要求，目前常用的解決辦法主要是：對SiC材料進行表面改性，其方式為在SiC鏡體光學(xué)表面鍍致密化涂層，然后對涂層進行拋光。