碳化硅陶瓷燒結(jié)方法一般分為反應(yīng)燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、無(wú)壓燒結(jié)、熱等壓燒結(jié)等，目前國(guó)內(nèi)最普遍應(yīng)用的就是反應(yīng)燒結(jié)、山東和浙江的部分企業(yè)生產(chǎn)無(wú)壓燒結(jié)產(chǎn)品。下面就碳化硅陶瓷反應(yīng)燒結(jié)的工藝做簡(jiǎn)單介紹：

　　反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷的制備工藝較為簡(jiǎn)單，它直接采用一定顆粒級(jí)配的碳化硅微粉，與碳混合后成型生坯，然后在高溫下進(jìn)行滲硅，部分硅與碳反應(yīng)生產(chǎn)碳化硅與原來(lái)坯體中的碳化硅結(jié)合,達(dá)到燒結(jié)目的。滲硅的方法有兩種：一種是溫度達(dá)到硅的熔融溫度，產(chǎn)生硅的液相，通過(guò)毛細(xì)管的作用，硅直接進(jìn)入坯體與碳反應(yīng)生產(chǎn)碳化硅至燒結(jié);另一種是溫度大于硅的熔融溫度，產(chǎn)生硅的蒸氣，通過(guò)硅蒸氣深入坯體達(dá)到燒結(jié)目的。前一種方法燒結(jié)后殘留的游離硅一般較多，通常達(dá)到10%-15%，有時(shí)會(huì)達(dá)到15%以上;用氣相法滲硅，由于坯體的預(yù)留氣孔可以盡量少，燒結(jié)后的游離硅含量可降低到10%。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅的燒結(jié)溫度范圍為1450—1700度，碳與碳化硅的骨架可以預(yù)先車(chē)削成任何形狀，且燒結(jié)時(shí)坯體的收縮僅在3%以內(nèi)，這有利于產(chǎn)品尺寸控制。采用的原料像碳化硅、C結(jié)合劑等均無(wú)需特殊處理，用該工藝制備的碳化硅燒結(jié)體的生產(chǎn)成本較低。但是，改工藝決定了燒結(jié)坯體中殘留游離硅，這部分對(duì)以后產(chǎn)品的應(yīng)用產(chǎn)生影響，一方面使得燒結(jié)體的強(qiáng)度和耐磨性下降，另一方面游離硅的存在降低了碳化硅的耐酸堿性能。

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