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無(wú)壓燒結(jié)碳化硅陶瓷

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:劉坤尚作者:劉坤尚人氣:-發(fā)表時(shí)間:2015-12-02 15:21:00【

  1974年美國(guó)GE公司通過(guò)在高純度β-SiC細(xì)粉中同時(shí)加入少量的B和C,采用無(wú)壓燒結(jié)工藝,于2020℃成功地獲得高密度碳化硅陶瓷。目前,該工藝已成為制備碳化硅陶瓷的主要方法。美國(guó)GE公司研究者認(rèn)為:晶界能與表面能之比小于1.732是致密化的熱力學(xué)條件,當(dāng)同時(shí)添加B和C后,B固溶到SiC中,使晶界能降低,C把SiC粒子表面的SiO2還原除去,提高表面能,因此B和C的添加為SiC的致密化創(chuàng)造了熱力學(xué)方面的有利條件。以α-SiC為原料,同時(shí)添加B和C,也同樣可實(shí)現(xiàn)SiC的致密燒結(jié)。
  研究表明:?jiǎn)为?dú)使用B和C作添加劑,無(wú)助于碳化硅陶瓷充分致密。只有同時(shí)添加B和C時(shí),才能實(shí)現(xiàn)碳化硅陶瓷的高密度化。為了碳化硅的致密燒結(jié),碳化硅粉料的比表面積應(yīng)在10㎡/g以上,且氧含量盡可能低。B的添加量在0.5%左右,C的添加量取決于SiC原料中氧含量高低,通常C的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。

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