推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 在單晶生長方面SiC晶體制備的兩個難點[ 05-08 08:34 ]
- 與傳統(tǒng)的單晶硅使用提拉法制備不同，目前規(guī)?；LSiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來了SiC晶體制備的兩個難點： 1、生長條件苛刻，需要在高溫下進行。一般而言，SiC氣相生長溫度在2300℃以上，壓力350MPa，而硅僅需1600℃左右。高溫對設備和工藝控制帶來了極高的要求，生產(chǎn)過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會導致生長數(shù)天的產(chǎn)品失敗。 2、生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢，7天才能生長2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長的8英
- 做一片八英寸SiC晶圓生產(chǎn)難點在哪？[ 05-07 16:27 ]
- 目前以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開始從8英寸邁向了12英寸，硅晶圓的生產(chǎn)經(jīng)驗是否可以助力SiC晶圓向更大面積發(fā)展，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點又在哪里？ 包括SiC在內的第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈包括包括襯底→外延→設計→制造→封裝。其中，襯底是所有半導體芯片的底層材料，起到物理支撐、導熱、導電等作用；外延是在襯底材料上生長出新的半導體晶層，這些外延層是制造半導體芯片的重要原料，影響器件的基本性能；設計包括器件設計和集成電路設計，其中器件設計包括半導體器件的結構、材
- SiC單晶技術研發(fā)歷史[ 05-06 16:22 ]
- Si和SiC作為半導體材料幾乎同時被提出，但由于SiC生長技術的復雜和缺陷、多型現(xiàn)象的存在，其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經(jīng)了多個重要階段。第一個階段是結構基本性質和生長技術的探索階段，時間跨度從1924年發(fā)現(xiàn)SiC結構至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質研究和英寸級別單晶生長的技術積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長方法基本確定、摻雜半絕緣技術被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著國際上半導體照明及2英寸SiC單晶
- 關于取消召開2022年春季全國磨料磨具行業(yè)信息交流會的通知[ 05-05 17:07 ]
- 國際半導體行業(yè)巨頭搶灘8英寸碳化硅晶圓襯底[ 05-02 08:03 ]
- 從目前全球市場情況來看，目前SiC半導體市場主要由Wolfspeed、英飛凌、羅姆半導體旗下SiCrystal、II－IV、新日鐵住金及道康寧等國外廠商占據(jù)著。同時，根據(jù)市場的公開資料顯示，這些廠商在進入6英寸生產(chǎn)后，在近兩年來，其中一部分廠商又對其6英寸產(chǎn)線進行了擴產(chǎn)，并在積極推動SiC向8英寸發(fā)展。 在國際知名大廠中，據(jù)“三代半風向”統(tǒng)計，目前有7家企業(yè)能夠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓襯底，包括英飛凌、Wolfspeed、羅姆、II-VI、Soitec，意法半導體以及中國的爍科晶體。
