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聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法[ 05-25 15:30 ]
- 碳化硅單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標準的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質量。 晶片的表面會有損傷，損傷源于本來晶體生長的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對于局部損傷，世界上有四種方法：不管、更換、修補、去除；對于碳化硅表面的損傷層，不管不顧肯定不行，因為會影響器件的成品率；更換晶片，不就是砸自己的飯碗嘛；修補其實是再次生長，現(xiàn)在沒有低成本的方案；而去除是一條還算可行的，用一定的材料廢棄，來提高總體材料
- “三駕馬車”拉動碳化硅崛起[ 05-24 16:18 ]
- 行業(yè)周知，新能源汽車發(fā)展十分迅猛，而且對硅芯片和碳化硅芯片需求量很大。未來，碳化硅芯片如何滿足新能源汽車的需求，成為了市場關注的焦點。 隨著摩爾定律的放緩，后摩爾時代對于各種新材料的導入和工藝的演進起到了很大的推動作用。業(yè)內(nèi)人士徐偉指出，“技術、資金和應用市場這“三駕馬車”的推動，也成為后摩爾時代最顯著的特點。比如iPhone現(xiàn)象或者說智能手機現(xiàn)象，它在應用引領上是非常突出的。” 從某種意義上講，就像碳化硅、氮化鎵的這樣的崛起，或者說爆發(fā)式的增長，實際上也
- 碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)未來可期[ 05-23 17:12 ]
- 集微網(wǎng)消息，當前，汽車動力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動力來源從內(nèi)燃機演變?yōu)殡妱訖C，功率半導體材料從硅轉向碳化硅，電壓平臺從400V升級到800V?？缛胄履茉雌?，為了滿足大電流、高電壓的需求，搭載的功率半導體也大幅提升，具體而言，碳化硅功率器件在新能源汽車中的應用場景包括：主驅逆變器、OBC（車載充電器）、快速充電樁，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主電機控制器應用是大勢所趨。 ST最早量產(chǎn)并大量應用于特斯拉，并用較低的價格搶占市場份額，以達到規(guī)模經(jīng)濟。在過去的幾年時間里，全球碳化硅市場上相關企業(yè)動作
- SiC模塊可提升電動汽車功率及續(xù)航能力[ 05-21 11:48 ]
- 碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處，有更高的擊穿場強，也就是耐高壓，即是可以控制更高的系統(tǒng)電壓。高電壓意味著低電流，能減少設備電阻的損耗。 對電機設計來說，也更容易在小體積下實現(xiàn)更高功率。 碳化硅可實現(xiàn)大功率及高續(xù)航。除了寬禁帶帶來的優(yōu)勢外，碳化硅還有兩大優(yōu)勢，一個是飽和電子速度更高，一個是導熱率更高、耐溫性能更高。 飽和電子速度快，也就是可以通過更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速度是硅材料的兩倍，因此在設備設計時，匹配的電流強度更容易遠離設備的飽和電流，也就能實現(xiàn)在導通狀態(tài)下更低的電阻。
- 碳化硅器件應用于逆變器優(yōu)勢[ 05-20 16:41 ]
- 碳化硅導通損耗和開關損耗優(yōu)勢明顯。就電動汽車逆變器而言，功率器件是核心能量轉換單元，其損耗包含兩部分，導通損耗Econ和開關損耗Esw。 碳化硅在電流比較小也就是輕載的工況下導通損耗優(yōu)勢是比較明顯的，再結合輕載工況開關損耗占比更大（碳化硅開關損耗也低），這也印證了為什么碳化硅更適合城市工況。因此逆變器應用碳化硅MOS體現(xiàn)在效率Map上就是高效區(qū)面積比較大。 另外，碳化硅MOS打開時雙向導通，又規(guī)避了IGBT模塊在續(xù)流時，F(xiàn)RD的導通壓降比IGBT大的問題，進一步降低導通損耗。 碳化硅可降低整車能耗
