昭和電工宣布量產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓片[ 04-02 10:17 ]

近期，日本ShowaDenkoKK(SDK，昭和電工)宣布已開始量產(chǎn)直徑6英寸(150mm)的碳化硅單晶晶片(SiC晶片)，其可滿足迅速增長的第三代功率半導(dǎo)體，特別是用于xEV、軌道車輛和工業(yè)設(shè)備的市場。 作為獨立的SiC外延片供應(yīng)商，SDK為功率器件制造商提供BestinClassSiC外延片，全球市場占有率領(lǐng)先。 2018年，SDK收購新日鐵住金集團（現(xiàn)新日鐵集團）的SiC晶圓相關(guān)資產(chǎn)，就此致力于開發(fā)用于量產(chǎn)SiC晶片的技術(shù)，并且旨在提高SiC外延片質(zhì)量并為其建立穩(wěn)定的供應(yīng)體系。SDK同時表示，多元

我國2022年1月份碳化硅出口量同比增長61.66%[ 04-01 10:13 ]

據(jù)磨料磨具公眾號發(fā)布信息介紹：2022年1月份中國碳化硅出口量31,502.41公噸，去年同期為19,486.50公噸，上月為43,562.02公噸，同比增長61.66%，環(huán)比下滑27.68%。 2022年1月份中國碳化硅出口額39,122,325.00美元，去年同期為18,384,531.00美元，上月為45,103,415.00美元，同比增長112.80%，環(huán)比下滑13.26%。出口均價1,241.88美元/公噸，去年同期為943.45美元/公噸，上月為1,035.38美元/公噸。 2022年1月，

關(guān)于碳化硅市場近期走勢分析[ 03-26 08:52 ]

據(jù)磨庫網(wǎng)訊在最新一期磨友圈直播過程中，碳化硅資深人士楊荻帆，百川盈孚碳化硅行業(yè)分析師楊甜珍等業(yè)內(nèi)人士分析了碳化硅一季度的市場行情及未來走勢。 楊荻帆表示，近期碳化硅價格漲聲一片，其上漲原因主要取決于石油焦原料價格上漲。 綠碳化硅的價格創(chuàng)歷史新高，很多廠家呈觀望狀態(tài)。接下來，根據(jù)石油焦的漲勢，原塊價格有突破15000元/噸的可能，可能會持續(xù)到8月份，總體來說形勢不容樂觀。 黑碳化硅方面，目前一級塊交易較多，隨著石油焦的漲幅，后期慢漲的可能性比較大。 楊總說，走訪山東、江蘇等地區(qū)的碳化硅生廠家時

華為猛投SiC賽道有何戰(zhàn)略意圖？[ 03-21 16:13 ]

去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術(shù)和數(shù)字技術(shù)成為驅(qū)動能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術(shù)的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術(shù)日益成熟，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，在能源領(lǐng)域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續(xù)支撐技術(shù)和產(chǎn)業(yè)快速前進的要求。進入新世紀以來，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導(dǎo)體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術(shù)帶來了

SiCMOSFET器件的商業(yè)化[ 03-19 15:59 ]

近20多年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3倍于硅材料的熱導(dǎo)率，因此SiC功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場合。 其中SiCMOSFET是最為成熟、應(yīng)用最廣的SiC功率開關(guān)器件，具有高開關(guān)速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點，被認為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiCMOSFET是一種具有絕緣柵結(jié)構(gòu)的單極性器件，關(guān)斷過程不存在拖尾電流，降低了開關(guān)損耗，進而減小散熱器體積；并且其開關(guān)速度快，開關(guān)頻率高，有利于減小變換器中電感