英飛凌推出全新 CoolSiC MOSFET[ 04-08 13:50 ]

近日，英飛凌宣布在其現(xiàn)有的高壓碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一個(gè)650V系列。 該產(chǎn)品建立在其先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)之上。與上一代硅(Si)半導(dǎo)體相比，這些650V系列MOSFET的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%，即使在較高電流下也能實(shí)現(xiàn)出色的開(kāi)關(guān)性能。這些降低的開(kāi)關(guān)損耗允許高頻、高效操作，從而能夠使用更小的濾波組件，并最終提高功率密度。

AehrTestSystems宣布：收到2230萬(wàn)碳化硅晶圓訂單[ 04-07 13:41 ]

近日，AehrTestSystems宣布，其領(lǐng)先的碳化硅已收到超過(guò)350萬(wàn)美元（2230萬(wàn)人民幣）的訂單WaferPak™全晶圓接觸器的測(cè)試和老化客戶，用于多種新的碳化硅器件設(shè)計(jì)以及多個(gè)碳化硅器件的批量生產(chǎn)能力訂單，這些器件現(xiàn)在正在加速生產(chǎn)以滿足電動(dòng)汽車(EV)半導(dǎo)體的批量生產(chǎn)能力。 Aehr的FOX-XP系統(tǒng)和WaferPaks不僅支持目前大量出貨的6英寸（150毫米）直徑碳化硅晶圓，而且還支持未來(lái)的8英寸（200毫米）晶圓。

國(guó)星光電：SiC功率分立器件已完成多個(gè)試產(chǎn)訂單[ 04-06 13:39 ]

近日，國(guó)星光電發(fā)布年度業(yè)績(jī)報(bào)告，報(bào)告期內(nèi)推出了SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件3大系列產(chǎn)品。 其中，SiC功率模塊及GaN器件新品實(shí)驗(yàn)線已投入生產(chǎn)運(yùn)作，可迅速響應(yīng)對(duì)接客戶個(gè)性化的需求；SiC功率分立器件產(chǎn)品產(chǎn)線已投入使用，并完成了多個(gè)合作商的試產(chǎn)訂單。同時(shí)，他們也積極布局三代半上游外延芯片領(lǐng)域，子公司國(guó)星半導(dǎo)體現(xiàn)已具備硅基GaN芯片相關(guān)技術(shù)儲(chǔ)備，并積極與高校和研究所展開(kāi)GaN功率器件等的研發(fā)工作，并參與了兩項(xiàng)第三代半導(dǎo)體方向的省級(jí)研發(fā)項(xiàng)目。

恩智浦、日立合作共同加速SiC在EV中的應(yīng)用[ 04-05 10:37 ]

3月21日，恩智浦官網(wǎng)發(fā)布公告稱，他們與日立能源合作，加速在電動(dòng)汽車中采用碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體模塊。 該項(xiàng)目旨在為由恩智浦GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和日立能源SiCMOSFET功率模塊組成的動(dòng)力總成逆變器提供更高效、可靠和功能安全的基于SiCMOSFET的解決方案。

三安：2025年6寸碳化硅晶圓需求達(dá)437萬(wàn)片[ 04-03 10:30 ]

近日，三安光電董事長(zhǎng)特別助理、北京三安光電有限公司總經(jīng)理陳昭亮演講。陳昭亮指出，2025年全球碳化硅襯底與晶圓的情況將出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，2025年6寸碳化硅晶圓需求在飽受與樂(lè)觀情形下分別為219和437萬(wàn)片。 根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，車用碳化硅需求占全行業(yè)的60%，其他代表性行業(yè)，光伏、儲(chǔ)能、充電基建、電源、軌交等對(duì)碳化硅的需求占40%，由此推算，2025全球需要6寸碳化硅晶圓保守估計(jì)365萬(wàn)片。碳化硅產(chǎn)能缺口將達(dá)到123萬(wàn)片，在樂(lè)觀情形下達(dá)到的728萬(wàn)片，碳化硅產(chǎn)能的缺口達(dá)到468萬(wàn)片，全球碳化硅襯底與晶圓將出