SiC單晶技術(shù)研發(fā)歷史[ 05-06 16:22 ]

Si和SiC作為半導(dǎo)體材料幾乎同時(shí)被提出，但由于SiC生長(zhǎng)技術(shù)的復(fù)雜和缺陷、多型現(xiàn)象的存在，其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經(jīng)了多個(gè)重要階段。第一個(gè)階段是結(jié)構(gòu)基本性質(zhì)和生長(zhǎng)技術(shù)的探索階段，時(shí)間跨度從1924年發(fā)現(xiàn)SiC結(jié)構(gòu)至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質(zhì)研究和英寸級(jí)別單晶生長(zhǎng)的技術(shù)積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長(zhǎng)方法基本確定、摻雜半絕緣技術(shù)被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著國(guó)際上半導(dǎo)體照明及2英寸SiC單晶

關(guān)于取消召開(kāi)2022年春季全國(guó)磨料磨具行業(yè)信息交流會(huì)的通知[ 05-05 17:07 ]

國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)巨頭搶灘8英寸碳化硅晶圓襯底[ 05-02 08:03 ]

從目前全球市場(chǎng)情況來(lái)看，目前SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)主要由Wolfspeed、英飛凌、羅姆半導(dǎo)體旗下SiCrystal、II－IV、新日鐵住金及道康寧等國(guó)外廠商占據(jù)著。同時(shí)，根據(jù)市場(chǎng)的公開(kāi)資料顯示，這些廠商在進(jìn)入6英寸生產(chǎn)后，在近兩年來(lái)，其中一部分廠商又對(duì)其6英寸產(chǎn)線進(jìn)行了擴(kuò)產(chǎn)，并在積極推動(dòng)SiC向8英寸發(fā)展。 在國(guó)際知名大廠中，據(jù)“三代半風(fēng)向”統(tǒng)計(jì)，目前有7家企業(yè)能夠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓襯底，包括英飛凌、Wolfspeed、羅姆、II-VI、Soitec，意法半導(dǎo)體以及中國(guó)的爍科晶體。

第六屆“鄭州三磨展”將延期舉辦[ 04-29 13:04 ]

受新冠疫情近期發(fā)展態(tài)勢(shì)影響，原定于2022年5月26-28日舉辦的第六屆“鄭州三磨展”將延期舉辦。具體舉辦時(shí)間另行通知。

韓國(guó)成立碳化硅產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟[ 04-27 13:53 ]

據(jù) 粉體網(wǎng)信息 韓媒ETNews報(bào)道，為了開(kāi)發(fā)新一代功率半導(dǎo)體，韓國(guó)將于14日正式推出其由國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)、大學(xué)、研究所等組成的“新一代晶體工程部”，以應(yīng)對(duì)碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（GaO）等迅速增長(zhǎng)的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。 該研究部門(mén)的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)以碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)，還將培育與碳化硅半導(dǎo)體相關(guān)的材料、零部件和設(shè)備企業(yè)的發(fā)展，并決定為應(yīng)對(duì)碳化硅半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)，組成聯(lián)盟。 在該聯(lián)盟中，LXSemiconductor、SKsilt