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SiC外延生長常見元素

文章出處:芯TIP網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:Michael人氣:-發(fā)表時間:2022-04-18 16:40:00【

SiC外延生長:常見元素

襯底:

•用于電力電子的4H多型

•當(dāng)前晶圓直徑150mm和200mm

•定向4°離軸

•雙面拋光

•在晶片的硅面上生長的外延

•需要對硅表面進(jìn)行仔細(xì)的化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)以減少缺陷

生長參數(shù):

•溫度~1650oC

•壓力~50-100mbar

•硅源

•碳源

•摻雜氣體

•C/Si比率——用于摻雜控制

•涂層石墨

外延片表征:

•厚度-目標(biāo)和均勻度

•摻雜-目標(biāo)和均勻度

•缺陷(表面缺陷、位錯缺陷)

•晶圓形狀(弓形等)

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