碳化硅單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標準的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質量。

晶片的表面會有損傷，損傷源于本來晶體生長的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對于局部損傷，世界上有四種方法：不管、更換、修補、去除；對于碳化硅表面的損傷層，不管不顧肯定不行，因為會影響器件的成品率；更換晶片，不就是砸自己的飯碗嘛；修補其實是再次生長，現(xiàn)在沒有低成本的方案；而去除是一條還算可行的，用一定的材料廢棄，來提高總體材料的質量。

SiC表面的損傷層可以通過四種方法去除：

機械拋光，簡單但會殘留劃痕，適用于初拋；

化學機械拋光（ChemicalMechanicalPolishing，CMP），引入化學腐蝕去除劃痕，適用于精拋；

氫氣刻蝕，設備復雜，常用于HTCVD過程；

等離子輔助拋光，設備復雜，不常用。