碳化硅性能
天然的碳化硅很少,工業(yè)上使用的為人工合成原料,俗稱金剛砂,是一種典型的共價鍵結合的化合物。(1)碳化硅的性質(zhì):碳化硅主要有兩種結晶形態(tài):b-SiC和a-SiC。b-SiC為面心立方閃鋅礦型結構,晶格常數(shù)a=0.4359nm。a-SiC是SiC的高溫型結構,屬六方晶系,它存在著許多變體,金蒙新材料生產(chǎn)的碳化硅就是a-SiC。碳化硅的折射率非常高,在普通光線下為2.6767~2.6480.各種晶型的碳化硅的密度接近,a-SiC一般為3.217g/cm3,b-SiC為3.215g/cm3.純碳化硅是無色透明的,工業(yè)SiC由于含有游離Fe、Si、C等雜質(zhì)而成淺綠色或黑色。綠碳化硅和黑碳化硅的硬度在常溫和高溫下基本相同。SiC熱膨脹系數(shù)不大,在25~1400℃平均熱膨脹系數(shù)為4.5×10-6/℃。碳化硅具有很高的熱導率,500℃時為64.4W/(m•K)。常溫下SiC是一種半導體。
碳化硅具有耐高溫、耐磨、抗沖刷、耐腐蝕和質(zhì)量輕的特點。碳化硅在高溫下的氧化是其損害的主要原因。(2)碳化硅的合成:金蒙新材料碳化硅的冶煉方法,合成碳化硅所用的原料主要是以SiO2為主要成分的脈石低檔次的碳化硅可用低灰分的無煙煤為原料,輔助原料為木屑和食鹽。
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