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- 碳化硅器件被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”[ 07-19 16:23 ]
- 2018年，特斯拉在Model3電驅主逆變器上，率先采用了意法半導體供應的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件開始逐漸成為市場發(fā)展的熱點。碳化硅為代表的第三代半導體是支撐新能源汽車發(fā)展的關鍵技術之一。其中碳化硅功率模塊是新能源汽車電機驅動系統(tǒng)的關鍵部件，具備耐高壓、耐高溫、高開關頻率、低開關損耗等特點，對整車的主要技術指標和整體性能有著重要影響。 碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新
- 三氧化二鋁-碳化硅-碳澆注料防氧化技術研究進展[ 07-16 16:48 ]
- 綜述了三氧化二鋁-碳化硅-碳澆注料防氧化技術的防氧化效果以及對材料性能、組成和結構的影響，根據(jù)含碳耐火材料的氧化損毀機理，主要分析了防氧化劑的兩種作用形式即優(yōu)先碳源氧化法和優(yōu)化碳源法。防氧化劑法除了優(yōu)先碳源氧化生成金屬氧化物和碳化物阻止含碳材料的氧化外，還可以通過固相反應生成液相等物質堵塞材料內部氣孔提升材料的致密度阻止氧氣的進入來提高防氧化效果，優(yōu)化碳源法則通過復合碳源以及在碳源的表面添加涂層達到一定的防氧化效果。詳細闡述了3種方法的工藝特點以及目前存在的問題，并對其發(fā)展方向進行了展望，為開發(fā)新型三氧化二鋁-碳化
- 一張圖：碳化硅這樣提純，能行嗎？[ 07-15 15:40 ]
- 新能源車用半導體價值量提升 碳化硅倍受期待[ 07-13 09:12 ]
- 一直以來，硅是制造半導體芯片最常用的材料，目前90%以上的半導體產品是以硅為襯底制成的。究其原因，是硅的儲備量大，成本比較低，并且制備比較簡單。然而，硅在光電子領域和高頻高功率器件方面的應用卻受阻，且硅在高頻下的工作性能較差，不適用于高壓應用場景。這些限制讓硅基功率器件已經漸漸難以滿足新能源車及高鐵等新興應用對器件高功率及高頻性能的需求。 在這個背景下，碳化硅走到了聚光燈下。相比于第一代和第二代半導體材料，SiC具有一系列優(yōu)良的物理化學特性，除了禁帶寬度，還具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度
- 光刻機用碳化硅陶瓷結構件產業(yè)格局[ 07-08 16:42 ]
- 目前全球集成電路制造裝備支出達到500億美元，其中陶瓷結構件占支出的20%以上。目前IC制造裝備用高端碳化硅陶瓷零部件70%被Kyocera、CoorsTek兩家公司壟斷，剩余部分也被歐美日企業(yè)所占據(jù)。 Kyocera和CoorsTek產品的特點是種類齊全、市場覆蓋面廣，以半導體用陶瓷組件為例，CoorsTek提供的精密陶瓷結構件涵蓋了光刻機專用組件、等離子刻蝕設備專用組件、PVD/CVD專用組件、離子注入設備專用組件、晶片吸附固定傳輸專用組件等一系列產品；Kyocera則提供光刻機、晶圓制造設備、刻蝕機、沉
