聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅陶瓷精密結(jié)構(gòu)部件制備工藝[ 07-07 15:39 ]
- 采用碳化硅作為光刻機等集成電路關(guān)鍵裝備用精密結(jié)構(gòu)件材料具有極大的優(yōu)勢。但是傳統(tǒng)的陶瓷制備工藝如注漿、干壓等很難實現(xiàn)諸如光刻機工作臺這類復雜部件的制備。為此，中國建材總院研發(fā)出一系列成型、燒結(jié)技術(shù)，解決了采用碳化硅材料制作此類部件的國產(chǎn)化問題。 碳化硅陶瓷具有高強度、高硬度、高彈性模量、高比剛度、高導熱系數(shù)、低熱膨脹系數(shù)等優(yōu)良性能，是一種理想的高性能結(jié)構(gòu)材料，但將其應用于制備具有“大、厚、空、薄、輕、精”特點的光刻機等集成電路關(guān)鍵裝備用精密結(jié)構(gòu)件時，卻存在諸多的技術(shù)難點和挑戰(zhàn)，比如如何實
- 碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件在光刻機中的應用[ 07-06 16:37 ]
- 集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備主要有包括光刻技術(shù)及光刻裝備、薄膜生長技術(shù)及裝備、化學機械拋光技術(shù)及裝備、高密度后封裝技術(shù)及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩(wěn)定性的運動控制技術(shù)和驅(qū)動技術(shù)，對結(jié)構(gòu)件的精度和結(jié)構(gòu)材料的性能提出了極高的要求。 ●碳化硅工件臺 以光刻機中工件臺為例，該工件臺主要負責完成曝光運動，要求實現(xiàn)高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線寬為10nm的光刻機，其工件臺定位精度要求達到10nm，掩模-硅片同時步進和掃描速度分別達到150nm/s和12
- 光刻機精密部件的主選材料--碳化硅陶瓷[ 07-05 14:29 ]
- 碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形，并且具有較高的導熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù)，熱穩(wěn)定性高，因此碳化硅陶瓷是一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，目前已經(jīng)廣泛應用于航空、航天、石油化工、機械制造、核工業(yè)、微電子工業(yè)等領(lǐng)域。但是，由于碳化硅是Si-C鍵很強的共價鍵化合物，具有極高的硬度和顯著的脆性，精密加工難度大；此外，碳化硅熔點高，難以實現(xiàn)致密、近凈尺寸燒結(jié)。 因此，大尺寸、復雜異形中空結(jié)構(gòu)的精密碳化硅結(jié)構(gòu)件的制備難度較高，限制了碳化硅陶瓷在諸如集成電路這類的高端裝備制造領(lǐng)域中的廣泛應用。目前只有日本、美國等少數(shù)幾個發(fā)達
- 上海硅酸鹽所在3D打印碳化硅陶瓷研究中取得新進展[ 07-04 17:25 ]
- 碳化硅（SiC）陶瓷由于其易氧化、難熔融、高吸光，成為3D打印陶瓷中亟待攻克的難題，目前大多數(shù)3D打印SiC陶瓷方法中打印材料固含量較低、硅含量較高、力學性能較低，普遍采用化學氣相沉積CVI（ChemicalVaporInfiltration）或者前驅(qū)體浸漬裂解PIP（PrecursorInfiltrationPyrolysis）等后處理工藝提高材料固含量來實現(xiàn)陶瓷材料綜合性能的提升，這樣勢必降低3D打印SiC陶瓷工藝的優(yōu)越性。 近日，中國科學院上海硅酸鹽研究所黃政仁研究員團隊陳健副研究員首次提出高溫熔融沉積
- 碳化硅上車時機已成熟？[ 06-25 16:51 ]
- 不管從SiC自身前景還是市場的追捧程度來看，SiC的商業(yè)化的進程總會存在各種各樣的問題，而一旦涉及「上車」這個話題，難度似乎又提升了幾個等級。 隨著新能源汽車市場迅速崛起，再加功率半導體廠商與車企的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同“作戰(zhàn)”，跨越車規(guī)級SiC的門檻，成功“上車”的腳步也顯著加快。 碳化硅真的是讓整個電動汽車產(chǎn)業(yè)徹底“著了迷”，而電動汽車在高速增長的同時也帶動了市場對碳化硅功率器件的需求。 讓電更有效的技術(shù)正變得越來越關(guān)鍵。不管是SiC
