昭和電工（SDK）實(shí)施8英寸碳化硅晶圓技術(shù)開發(fā)9年計(jì)劃[ 05-27 16:39 ]

據(jù)粉體圈消息：5月23日,昭和電工（SDK）提出的“8英寸SiC晶圓技術(shù)開發(fā)計(jì)劃”被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織(NEDO)選定為“綠色創(chuàng)新基金項(xiàng)目”。而就在今年3月，昭和電工剛剛宣布正式量產(chǎn)直徑6英寸(150mm)的碳化硅晶圓。 2020年10月，日本政府宣布其目標(biāo)是到2050年實(shí)現(xiàn)碳中和。能源、貿(mào)易和工業(yè)部(METI)為此設(shè)立2萬億日元的綠色創(chuàng)新基金，并由NEDO出面對創(chuàng)新進(jìn)行相應(yīng)的投資。 作為獨(dú)立的SiC外延片供應(yīng)商，SDK為功率器件制造商提供Bes

露笑科技有望成為國產(chǎn)6英寸碳化硅襯底規(guī)模供應(yīng)廠商[ 05-26 17:34 ]

據(jù)粉體圈消息：日前，證監(jiān)會發(fā)行審核委員會通過了露笑科技擬非公開發(fā)行股票募資不超過25.67億元的定增預(yù)案，主要用于新建碳化硅產(chǎn)業(yè)園及大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心。 近年來我國碳化硅器件廠商的原材料供應(yīng)受到較大程度的制約，下游市場尤其汽車市場對碳化硅半導(dǎo)體需求的走強(qiáng)，出現(xiàn)了供不應(yīng)求的局面。提高碳化硅襯底材料的國產(chǎn)化率、實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代是我國寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)亟需突破的產(chǎn)業(yè)瓶頸。但是碳化硅襯底材料制造的技術(shù)門檻較高，國內(nèi)能夠向企業(yè)用戶穩(wěn)定供應(yīng)6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)廠商相對有限。 據(jù)悉，露笑科技本次募投項(xiàng)目完成后將形

“三駕馬車”拉動碳化硅崛起[ 05-24 16:18 ]

行業(yè)周知，新能源汽車發(fā)展十分迅猛，而且對硅芯片和碳化硅芯片需求量很大。未來，碳化硅芯片如何滿足新能源汽車的需求，成為了市場關(guān)注的焦點(diǎn)。 隨著摩爾定律的放緩，后摩爾時代對于各種新材料的導(dǎo)入和工藝的演進(jìn)起到了很大的推動作用。業(yè)內(nèi)人士徐偉指出，“技術(shù)、資金和應(yīng)用市場這“三駕馬車”的推動，也成為后摩爾時代最顯著的特點(diǎn)。比如iPhone現(xiàn)象或者說智能手機(jī)現(xiàn)象，它在應(yīng)用引領(lǐng)上是非常突出的。” 從某種意義上講，就像碳化硅、氮化鎵的這樣的崛起，或者說爆發(fā)式的增長，實(shí)際上也

碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)未來可期[ 05-23 17:12 ]

集微網(wǎng)消息，當(dāng)前，汽車動力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動力來源從內(nèi)燃機(jī)演變?yōu)殡妱訖C(jī)，功率半導(dǎo)體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺從400V升級到800V?？缛胄履茉雌嚕瑸榱藵M足大電流、高電壓的需求，搭載的功率半導(dǎo)體也大幅提升，具體而言，碳化硅功率器件在新能源汽車中的應(yīng)用場景包括：主驅(qū)逆變器、OBC（車載充電器）、快速充電樁，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主電機(jī)控制器應(yīng)用是大勢所趨。 ST最早量產(chǎn)并大量應(yīng)用于特斯拉，并用較低的價格搶占市場份額，以達(dá)到規(guī)模經(jīng)濟(jì)。在過去的幾年時間里，全球碳化硅市場上相關(guān)企業(yè)動作

SiC模塊可提升電動汽車功率及續(xù)航能力[ 05-21 11:48 ]

碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處，有更高的擊穿場強(qiáng)，也就是耐高壓，即是可以控制更高的系統(tǒng)電壓。高電壓意味著低電流，能減少設(shè)備電阻的損耗。 對電機(jī)設(shè)計(jì)來說，也更容易在小體積下實(shí)現(xiàn)更高功率。 碳化硅可實(shí)現(xiàn)大功率及高續(xù)航。除了寬禁帶帶來的優(yōu)勢外，碳化硅還有兩大優(yōu)勢，一個是飽和電子速度更高，一個是導(dǎo)熱率更高、耐溫性能更高。 飽和電子速度快，也就是可以通過更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速度是硅材料的兩倍，因此在設(shè)備設(shè)計(jì)時，匹配的電流強(qiáng)度更容易遠(yuǎn)離設(shè)備的飽和電流，也就能實(shí)現(xiàn)在導(dǎo)通狀態(tài)下更低的電阻。