Wolfspeed宣布斥巨資擴(kuò)產(chǎn)碳化硅晶圓產(chǎn)能[ 09-15 16:27 ]

9月9日，碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed宣布將在北卡羅來納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項(xiàng)目，一期投資13億美元，預(yù)計(jì)2024年投產(chǎn)；二期預(yù)計(jì)投資48億美元，到2030年投產(chǎn)，投資目標(biāo)是使Wolfspeed達(dá)到目前產(chǎn)能的十倍。 Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運(yùn)行，電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動(dòng)汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D(zhuǎn)動(dòng)的電機(jī)。L

碳化硅器件工藝難點(diǎn)在哪里？[ 09-14 17:19 ]

襯底片完了之后就是長(zhǎng)外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測(cè)試等，基本流程和硅差不多。 其中長(zhǎng)外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區(qū)別，歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價(jià)格也很便宜國(guó)產(chǎn)的大約400-500萬一臺(tái)（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價(jià)格非常貴，基本要800-1500萬人民幣一臺(tái)，而且產(chǎn)能很低，一臺(tái)爐子一個(gè)月產(chǎn)能是30片。 外延爐主要是國(guó)外

為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]

碳化硅的長(zhǎng)晶技術(shù)大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單，可靠，成本可控。CVD對(duì)設(shè)備要求太高，價(jià)格很貴，只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會(huì)用這個(gè)方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時(shí)間積累，日本公司不少專注于這個(gè)路線。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長(zhǎng)速度只有硅材料生長(zhǎng)速度的1/100都不到，144小時(shí)只有2cm左右的厚度，實(shí)在是太慢了，要想獲得更多的產(chǎn)量，只能靠長(zhǎng)晶爐數(shù)量堆。 目前國(guó)外日新技研和PVATe

碳化硅現(xiàn)在面臨的缺點(diǎn)和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]

碳化硅優(yōu)點(diǎn)很多，但是目前也僅僅是一個(gè)小汽車應(yīng)用場(chǎng)景上使用，還是無法大規(guī)模替代硅功率器件，業(yè)內(nèi)從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來理解有以下這些問題。 首先碳化硅這種材料，在自然界是沒有的，必須人工合成，結(jié)果必然是成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于可以自然開采的材料，而且碳化硅升華熔點(diǎn)約2700度，且沒有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長(zhǎng)技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步，導(dǎo)致原材料價(jià)格過于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達(dá)1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實(shí)在差太多了

寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn)[ 09-09 17:05 ]

碳化硅，氮化鎵有個(gè)很拉風(fēng)的名字叫寬禁帶半導(dǎo)體材料，國(guó)內(nèi)也叫第三代半導(dǎo)體。它特指禁帶寬度超過2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過4.0eV叫超寬禁帶半導(dǎo)體材料，國(guó)內(nèi)叫第四代半導(dǎo)體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國(guó)搞制裁的那個(gè)，有意思的是美國(guó)只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國(guó)搞的出色些。 禁帶寬度物理意義是實(shí)際上是反映了價(jià)電子被束縛強(qiáng)弱程度的一個(gè)物理量，也就是產(chǎn)