MIT中國博后聯(lián)合通用電氣研發(fā)新型多尺度多孔碳化硅陶瓷熱交換器[ 06-22 14:59 ]

高溫?zé)峤粨Q器被廣泛地應(yīng)用在太陽能、核能發(fā)電以及混動(dòng)、電動(dòng)航天等領(lǐng)域。然而，由于苛刻的操作環(huán)境，高溫?zé)峤粨Q器往往成為整個(gè)系統(tǒng)的“瓶頸”。 在高溫高壓工作狀態(tài)下，使用超臨界二氧化碳替代傳統(tǒng)的蒸汽循環(huán)，會(huì)大幅度地提升能源效率。盡管高溫合金與陶瓷可承受高溫、高壓的負(fù)載，但在傳統(tǒng)的熱交換器設(shè)計(jì)中，使用這些材料制作高溫?zé)峤粨Q器不僅價(jià)格高、功率密度低，而且高溫?zé)峤粨Q器自身體積龐大、質(zhì)量大，這些不利因素嚴(yán)重地制約了其在可持續(xù)能源以及電動(dòng)航空的發(fā)展。 近日，美國麻省理工學(xué)院（MIT）、普渡大學(xué)以及

比亞迪等新能源車企扎堆布局碳化硅 產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長[ 06-21 11:30 ]

近期，新能源車企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相關(guān)領(lǐng)域投資迎來密集落地。日前，新能源汽車龍頭比亞迪入股天域半導(dǎo)體，華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資也于去年入股該公司。 資料顯示，天域半導(dǎo)體是國內(nèi)第一家獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證（IATF16949）的碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈企業(yè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半導(dǎo)體宣布完成C2輪融資，由廣汽資本等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。5月下旬，由理想汽車及三安光電共同出資組建的碳化硅車規(guī)芯片模組公司蘇州斯科半導(dǎo)體落戶蘇州。 作為第三代半導(dǎo)體材料的

日本IDM大廠羅姆SiC功率半導(dǎo)體計(jì)劃將產(chǎn)能增加6倍[ 06-20 17:27 ]

據(jù)粉體圈整理消息：近期，日本IDM大廠羅姆(Rohm)計(jì)劃2025年前，要將碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的營收擴(kuò)大至1000億日元以上。為此，羅姆最大將投資1700億日元使碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能在2025年時(shí)增加至2021年時(shí)的6倍。 羅姆6月8日在日本福岡縣筑后市舉行碳化硅功率半導(dǎo)體專用生產(chǎn)廠房啟用儀式。羅姆社長松本功表示，要以新廠房為起點(diǎn)，目標(biāo)在2025年度成為全球市占龍頭。這也是日本半導(dǎo)體制造商首度在日本國內(nèi)建設(shè)碳化硅功率半導(dǎo)體的專用廠房。 據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，目前羅姆在全球整體功率半導(dǎo)體市場(chǎng)市

藍(lán)海華騰、廣汽資本投資基本半導(dǎo)體 搶灘布局碳化硅百億市場(chǎng)[ 06-19 16:22 ]

6月7日,藍(lán)海華騰、廣汽資本、潤峽招贏等機(jī)構(gòu)完成了對(duì)國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)功率器件企業(yè)——基本半導(dǎo)體的C2輪融資。本次投資意味著藍(lán)海華騰加緊開拓布局第三代半導(dǎo)體碳化硅器件領(lǐng)域，通過助力基本半導(dǎo)體在碳化硅功率器件上的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設(shè)，共同加強(qiáng)雙方在新能源汽車市場(chǎng)的拓展。 公開資料顯示，藍(lán)海華騰于2016年在深交所創(chuàng)業(yè)板上市，是一家擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，專業(yè)致力于新能源汽車驅(qū)動(dòng)和工業(yè)自動(dòng)化控制產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及整體方案解決的國家高新技術(shù)企業(yè)。 藍(lán)海華騰本次

德智新材投資2.5億半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項(xiàng)目完成主體工程建設(shè)[ 06-17 17:19 ]

近日，在新馬工業(yè)園內(nèi)，湖南德智新材料有限公司半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項(xiàng)目完成了主體工程建設(shè)，并預(yù)計(jì)在明年初投產(chǎn)，一項(xiàng)“卡脖子”的高精尖技術(shù)，即將在株洲順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 SiC刻蝕環(huán)是半導(dǎo)體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵耗材，在半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對(duì)純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進(jìn)行生長SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導(dǎo)體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。長期以來，圍繞半導(dǎo)體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節(jié)，但因其技術(shù)壁壘高，長期被美